ROHM Semiconductor QS8J2TR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

300 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

550mW

引脚数量

8

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

36m Ω @ 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1940pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 4.5V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

12V

下降时间（典型值）

180 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.036Ohm

漏源击穿电压

-12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 1.5V Drive

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅