ROHM Semiconductor QS8M51TR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A 1.5A

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.5W

端子位置

DUAL

基本部件号

*M51

引脚数量

8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

325m Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

290pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.7nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

100V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.355Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

DS 击穿电压-最小值

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅