ROHM Semiconductor R5013ANXFU6

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

32ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅