ROHM Semiconductor R6015ANX

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

15A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

15 mJ

高度

15.4mm

长度

10.3mm

宽度

4.8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant