ROHM Semiconductor R6020KNX

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

68W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2015

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

196m Ω @ 9.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1550pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.196Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

418 mJ

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant