ROHM Semiconductor R6035ENZ1C9

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

120W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

102m Ω @ 18.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2720pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

35A

阈值电压

4V

漏极-源极导通最大电阻

0.102Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

105A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

796 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant