ROHM Semiconductor R6046ANZC8

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

46A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

120W Tc

Turn Off Delay Time

230 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

最大输出电流

500mA

通道数量

1

界面

On/Off

输出配置

高边

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

81m Ω @ 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

上升时间

130ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

46A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

故障保护

Over Temperature, Reverse Current

DS 击穿电压-最小值

600V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅