ROHM Semiconductor R6046FNZC8

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

46A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

120W Tc

Turn Off Delay Time

230 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电容量

-3pF

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

120W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

93m Ω @ 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

上升时间

150ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

46A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.093Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

115A

雪崩能量等级（Eas）

142 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅