ROHM Semiconductor RDR005N25TL

工厂交货时间

99 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-96

引脚数

96

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Turn Off Delay Time

21 ns

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

540mW Ta

已出版

2010

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3/e2

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN/TIN COPPER

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PDSO-G3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.8 Ω @ 250mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

70pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.5nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

500mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5A

漏极-源极导通最大电阻

9.6Ohm

漏源击穿电压

250V

宽度

1.8mm

高度

950μm

长度

3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant