ROHM Semiconductor RMW150N03TB

底架

表面贴装

包装/外壳

SMD/SMT

引脚数

8

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

34 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

9.1MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

265

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

接通延迟时间

12 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

38ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

输入电容

831pF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

12.6mOhm

最大rds

9.1 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅