ROHM Semiconductor RQ1E100XNTR

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

550mW Ta

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.7nC @ 5V

上升时间

33ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.014Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

DS 击穿电压-最小值

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant