注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.520222
500
¥0.382513
1000
¥0.318763
2000
¥0.292444
5000
¥0.273313
10000
¥0.254247
15000
¥0.245884
50000
¥0.241778
ROHM Semiconductor RRL025P03TR
- 收藏
- 对比
RRL025P03TR
2078-RRL025P03TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RRL025P03TR详情
ROHM Semiconductor RRL025P03TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
320mW Ta
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
75m Ω @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
480pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.2nC @ 5V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
33 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.075Ohm
漏源击穿电压
-30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RRL025P03TR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。