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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.883588
10
¥4.607162
100
¥4.346375
500
¥4.100356
1000
¥3.86826
ROHM Semiconductor RRR015P03TL
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- 对比
RRR015P03TL
2078-RRR015P03TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
大陆
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MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RRR015P03TL详情
ROHM Semiconductor RRR015P03TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
540mW Ta
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
230pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.5nC @ 10V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
1.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RRR015P03TL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor








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