注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.630479
10
¥0.594792
100
¥0.561124
500
¥0.529362
1000
¥0.499398
ROHM Semiconductor RRR030P03TL
- 收藏
- 对比
RRR030P03TL
2078-RRR030P03TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RRR030P03TL详情
ROHM Semiconductor RRR030P03TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
75m Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
480pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.2nC @ 5V
上升时间
18ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.075Ohm
漏源击穿电压
-30V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RRR030P03TL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor








哦! 它是空的。