ROHM Semiconductor RSF010P03TL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

630MOhm

端子表面处理

锡铜

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800mW

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

120pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.9nC @ 5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

1A

阈值电压

-2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

-30V

栅源电压

-2.5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅