ROHM Semiconductor RSF015N06TL
- 收藏
- 对比
RSF015N06TL
2078-RSF015N06TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, Flat Lead
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
--最小包装量--
RSF015N06TL详情
ROHM Semiconductor RSF015N06TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Lead
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
800mW Ta
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
290m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
110pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2nC @ 5V
上升时间
9ns
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
1.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RSF015N06TL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor









哦! 它是空的。