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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.040444
10
¥0.981549
100
¥0.925996
500
¥0.873579
1000
¥0.824127
ROHM Semiconductor RSR010N10TL
- 收藏
- 对比
RSR010N10TL
2078-RSR010N10TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
大陆
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MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RSR010N10TL详情
ROHM Semiconductor RSR010N10TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
540mW Ta
Turn Off Delay Time
22 ns
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A Ta
Number of Elements
1
已出版
2012
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
520m Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
140pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.5nC @ 5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
1A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏极-源极导通最大电阻
0.58Ohm
DS 击穿电压-最小值
100V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RSR010N10TL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







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