ROHM Semiconductor RTF016N05TL

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

320mW Ta

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 1.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.3nC @ 4.5V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

45V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

1.6A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.28Ohm

DS 击穿电压-最小值

45V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅