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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.219401
10
¥3.037171
100
¥2.865257
500
¥2.703069
1000
¥2.550067
ROHM Semiconductor RTL020P02TR
- 收藏
- 对比
RTL020P02TR
2078-RTL020P02TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SMD/SMT
大陆
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MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RTL020P02TR详情
ROHM Semiconductor RTL020P02TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SMD/SMT
引脚数
3
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
38 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
135MOhm
端子表面处理
锡铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-20V
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
11 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
20V
极性/通道类型
P-CHANNEL
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏源击穿电压
-30V
输入电容
430pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
180mOhm
最大rds
135 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RTL020P02TR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







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