ROHM Semiconductor RTL030P02TR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

70MOhm

端子表面处理

锡铜

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

760pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 4.5V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

-20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅