ROHM Semiconductor RU1L002SNTL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-85

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

250mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Digi-Reel®

已出版

2011

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

3.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4 Ω @ 250mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15pF @ 25V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

250mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25A

DS 击穿电压-最小值

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准