ROHM Semiconductor RUU002N05T106

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW Ta

Turn Off Delay Time

15 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2 Ω @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 10V

上升时间

6ns

漏源电压 (Vdss)

50V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏极-源极导通最大电阻

2.4Ohm

DS 击穿电压-最小值

50V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅