ROHM Semiconductor RV2C010UNT2L

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-101, SOT-883

引脚数

1006

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

400mW Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

340mOhm

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

470m Ω @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

1A

阈值电压

1V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

DS 击穿电压-最小值

20V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant