RV3C002UNT2CL
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ROHM Semiconductor RV3C002UNT2CL

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型号

RV3C002UNT2CL

utmel 编号

2078-RV3C002UNT2CL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

3-XFDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML

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RV3C002UNT2CL
RV3C002UNT2CL ROHM Semiconductor NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML

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RV3C002UNT2CL详情

ROHM Semiconductor RV3C002UNT2CL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    3-XFDFN

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    150mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    100mW Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2 Ω @ 150mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    12pF @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±10V

  • 连续放电电流(ID)

    150mA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.15A

  • DS 击穿电压-最小值

    20V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

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RV3C002UNT2CL拓展信息

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