ROHM Semiconductor RW1E014SNT2R

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2016

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

最大功率耗散

700mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1.4A

输入电容

70pF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

170mOhm

最大rds

240 mΩ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅