ROHM Semiconductor RYE002N05TCL
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RYE002N05TCL
2078-RYE002N05TCL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-75, SOT-416
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MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
--最小包装量--
RYE002N05TCL详情
ROHM Semiconductor RYE002N05TCL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0.9V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.2 Ω @ 200mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
26pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
200mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
漏极-源极导通最大电阻
2.8Ohm
DS 击穿电压-最小值
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RYE002N05TCL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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