ROHM Semiconductor RZF030P01TL

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta

Turn Off Delay Time

210 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

39MOhm

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800mW

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

39m Ω @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1860pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 4.5V

上升时间

40ns

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

120 ns

连续放电电流(ID)

3A

阈值电压

-300mV

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

-12V

栅源电压

-300 mV

高度

770μm

长度

2mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅