ROHM Semiconductor SP8M51TB1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A 2.5A

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

*M51

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.5A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.19Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅