ROHM Semiconductor TT8J11TCR

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

650mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

650mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

43m Ω @ 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2600pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

连续放电电流(ID)

3.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.043Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 1.5V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅