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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.141295
10
¥1.076694
100
¥1.015749
500
¥0.958254
1000
¥0.904013
ROHM Semiconductor US6K4TR
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- 对比
US6K4TR
2078-US6K4TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, Flat Leads
大陆
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MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
US6K4TR详情
ROHM Semiconductor US6K4TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
供应商器件包装
TUMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1W
基本部件号
*K4
元素配置
Dual
功率耗散
1W
接通延迟时间
5 ns
功率 - 最大
1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
110pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5nC @ 4.5V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
1.5A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
20V
输入电容
110pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
130mOhm
最大rds
180 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
US6K4TR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






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