US6K4TR
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ROHM Semiconductor US6K4TR

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型号

US6K4TR

utmel 编号

2078-US6K4TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

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US6K4TR
US6K4TR ROHM Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

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US6K4TR详情

ROHM Semiconductor US6K4TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    TUMT6

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.5A

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    1W

  • 基本部件号

    *K4

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    1W

  • 接通延迟时间

    5 ns

  • 功率 - 最大

    1W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    180mOhm @ 1.5A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    110pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2.5nC @ 4.5V

  • 上升时间

    5ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 输入电容

    110pF

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    130mOhm

  • 最大rds

    180 mΩ

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor US6K4TR.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & US6K4TR相似的参数规格。

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