US6M11TR
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ROHM Semiconductor US6M11TR

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型号

US6M11TR

utmel 编号

2078-US6M11TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

6-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

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US6M11TR ROHM Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

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US6M11TR详情

ROHM Semiconductor US6M11TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.5A 1.3A

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    30 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2016

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    600MOhm

  • 端子表面处理

    锡铜

  • 最大功率耗散

    1W

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 基本部件号

    *M11

  • 引脚数量

    6

  • 通道数量

    2

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    8 ns

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    180m Ω @ 1.5A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    110pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.8nC @ 4.5V

  • 上升时间

    10ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V 12V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1.5A

  • 漏源击穿电压

    -12V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor US6M11TR.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & US6M11TR相似的参数规格。

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US6M11TR拓展信息

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