STMicroelectronics 2ST501T

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

质量

2.299997g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

4A

Number of Elements

1

hFEMin

2000

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

最大功率耗散

100W

基本部件号

2ST50

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

100W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 2A 2V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 2mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

350V

最大击穿电压

350V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

4A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅