STMicroelectronics 2STBN15D100

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

2.000002g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

最大功率耗散

70W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

基本部件号

2STBN15

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

NPN

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 3A 3V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.3V @ 4mA, 4A

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

12A

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅