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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥18.66994
10
¥17.613151
100
¥16.61618
500
¥15.675645
1000
¥14.788343
STMicroelectronics 2STC4467
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- 对比
2STC4467
2381-2STC4467
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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Trans GP BJT NPN 120V 8A 3-Pin(3 Tab) TO-3P Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2STC4467详情
STMicroelectronics 2STC4467重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
120V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
80W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
20MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
2STC
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
80W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
20MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
120V
最大集电极电流
8A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 3A 4V
最大集极截止电流
10μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 300mA, 3A
转换频率
20MHz
最大击穿电压
120V
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2STC4467拓展信息














哦! 它是空的。