STMicroelectronics 2STC4467

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

80W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

20MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2STC

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

80W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

20MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 3A 4V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 300mA, 3A

转换频率

20MHz

最大击穿电压

120V

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅