STMicroelectronics BD239C

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

基本部件号

BD239

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

2W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 1A 4V

最大集极截止电流

300μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 200mA, 1A

集电极基极电压(VCBO)

115V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

0.7 V

高度

9.15mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant