STMicroelectronics BUL1203E
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BUL1203E
2381-BUL1203E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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Bipolar Transistors - BJT N Ch 75V 3.5m 120A Pwr MOSFET
--最小包装量--
BUL1203E详情
STMicroelectronics BUL1203E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
550V
Number of Elements
1
hFEMin
10
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
100W
基本部件号
BUL1203
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
100W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
550V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
9 @ 2A 5V
最大集极截止电流
100μA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 1A, 3A
集电极基极电压(VCBO)
1.2kV
发射极基极电压 (VEBO)
9V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUL1203E拓展信息















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