BUL1203E
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STMicroelectronics BUL1203E

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型号

BUL1203E

utmel 编号

2381-BUL1203E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT N Ch 75V 3.5m 120A Pwr MOSFET

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BUL1203E
BUL1203E STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT N Ch 75V 3.5m 120A Pwr MOSFET

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BUL1203E详情

STMicroelectronics BUL1203E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    550V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    10

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 最大功率耗散

    100W

  • 基本部件号

    BUL1203

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    100W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    550V

  • 最大集电极电流

    5A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    9 @ 2A 5V

  • 最大集极截止电流

    100μA

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1.5V @ 1A, 3A

  • 集电极基极电压(VCBO)

    1.2kV

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    9V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

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