STMicroelectronics MJB44H11T4
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MJB44H11T4
2381-MJB44H11T4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
--最小包装量--
MJB44H11T4详情
STMicroelectronics MJB44H11T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Number of Elements
1
hFEMin
60
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
50W
基本部件号
MJB44
元素配置
Single
功率耗散
50W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
10A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 4A 1V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 400mA, 8A
最高频率
50MHz
最大击穿电压
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
10A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MJB44H11T4拓展信息















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