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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.135979
10
¥10.505637
100
¥9.910984
500
¥9.34998
1000
¥8.820735
STMicroelectronics MJD47T4
- 收藏
- 对比
MJD47T4
2381-MJD47T4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

TRANS NPN 250V 1A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MJD47T4详情
STMicroelectronics MJD47T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
250V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
hFEMin
30
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
250V
最大功率耗散
15W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
频率
10MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MJD47
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
15W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
10MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
250V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 300mA 10V
最大集极截止电流
100μA
JEDEC-95代码
TO-252AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 200mA, 1A
转换频率
10MHz
最大击穿电压
250V
集电极基极电压(VCBO)
350V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
VCEsat-最大值
1 V
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MJD47T4拓展信息















哦! 它是空的。