MJD47T4
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STMicroelectronics MJD47T4

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型号

MJD47T4

utmel 编号

2381-MJD47T4

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 250V 1A DPAK

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MJD47T4
MJD47T4 STMicroelectronics TRANS NPN 250V 1A DPAK

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MJD47T4详情

STMicroelectronics MJD47T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • 质量

    4.535924g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    250V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    30

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    250V

  • 最大功率耗散

    15W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    1A

  • 频率

    10MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    MJD47

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    15W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    10MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    250V

  • 最大集电极电流

    1A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    30 @ 300mA 10V

  • 最大集极截止电流

    100μA

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1V @ 200mA, 1A

  • 转换频率

    10MHz

  • 最大击穿电压

    250V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    350V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • VCEsat-最大值

    1 V

  • 高度

    2.4mm

  • 长度

    6.6mm

  • 宽度

    6.2mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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