STB5NK50ZT4
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STMicroelectronics STB5NK50ZT4

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型号

STB5NK50ZT4

utmel 编号

2381-STB5NK50ZT4

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp

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STB5NK50ZT4
STB5NK50ZT4 STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp

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STB5NK50ZT4详情

STMicroelectronics STB5NK50ZT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    D2PAK

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4.4A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    70W Tc

  • Turn Off Delay Time

    32 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    SuperMESH™

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    500V

  • 额定电流

    4.4A

  • 基本部件号

    STB5N

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    70W

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.5Ohm @ 2.2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 50μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    535pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    28nC @ 10V

  • 上升时间

    10ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    500V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    4.4A

  • 阈值电压

    3.75V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    500V

  • 输入电容

    535pF

  • 漏源电阻

    1.5Ohm

  • 最大rds

    1.5 Ω

  • 高度

    4.6mm

  • 长度

    10.75mm

  • 宽度

    10.4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STB5NK50ZT4相似的参数规格。

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