STMicroelectronics STC6NF30V
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STC6NF30V
2381-STC6NF30V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET N-Ch 30 Volt 6 Amp
--最小包装量--
STC6NF30V详情
STMicroelectronics STC6NF30V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
32 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
低阈值
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
1.5W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
STC6NF
引脚数量
8
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 2.5V
上升时间
25ns
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
0.03Ohm
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STC6NF30V拓展信息
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