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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.987572
10
¥1.87507
100
¥1.768929
500
¥1.668801
1000
¥1.574342
STMicroelectronics STD878T4
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- 对比
STD878T4
2381-STD878T4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Bipolar Transistors - BJT PWR BIP/S.SIGNAL
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¥
总价: ¥
STD878T4详情
STMicroelectronics STD878T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最大功率耗散
15W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STD878
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
15W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
350mV
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
10μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 50mA, 2A
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
45V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STD878T4拓展信息















哦! 它是空的。