STMicroelectronics STGB7NB60FD
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STGB7NB60FD
2381-STGB7NB60FD
晶体管 - IGBT - 单个
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Description: TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN DIODE,600V V(BR)CES,7A I(C),TO-263AB
1最小包装量--
STGB7NB60FD详情
STMicroelectronics STGB7NB60FD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Operating Temperature-Max
150 °C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
80 W
集电极电流-最大值(IC)
7 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5 V
STGB7NB60FD拓展信息
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