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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 单个 STGB7NB60FD
STGB7NB60FD
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STMicroelectronics STGB7NB60FD

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型号

STGB7NB60FD

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STGB7NB60FD

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN DIODE,600V V(BR)CES,7A I(C),TO-263AB

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STGB7NB60FD
STGB7NB60FD STMicroelectronics Description: TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN DIODE,600V V(BR)CES,7A I(C),TO-263AB

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STGB7NB60FD详情

技术参数

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STMicroelectronics STGB7NB60FD重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • Rohs Code

    有

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    80 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    7 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5 V

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技术文档: STMicroelectronics STGB7NB60FD.

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公司资质

ISO13485
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