STMicroelectronics STGD18N40LZ-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

420V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 10A, 5V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

电压箝位

最大功率耗散

125W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STGD18

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Logic

功率 - 最大

125W

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

360V

最大集电极电流

25A

最大击穿电压

420V

接通时间

4450 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 4.5V, 10A

关断时间-标准值（toff)

22200 ns

闸门收费

29nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

650ns/13.5μs

栅极-发射极电压-最大值

16V

RoHS状态

ROHS3 Compliant