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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.284713
10
¥14.419539
100
¥13.603337
500
¥12.83334
1000
¥12.106921
STMicroelectronics STGF20H65DFB2
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- 对比
STGF20H65DFB2
2381-STGF20H65DFB2
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3 Full Pack
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TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGF20H65DFB2详情
STMicroelectronics STGF20H65DFB2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商器件包装
TO-220FP
厂商
STMicroelectronics
Package
Tube
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
40 A
Test Conditions
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Base Product Number
STGF20
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
TO-220FP
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Pd - Power Dissipation
45 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.059613 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
系列
HB2
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
引脚数量
3
配置
Single
功率耗散
45
输入类型
Standard
功率 - 最大
45 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 20A
连续集电极电流
40
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
56 nC
集极脉冲电流(Icm)
60 A
Td(开/关)@25°C
16ns/78.8ns
开关能量
265μJ (on), 214μJ (off)
反向恢复时间(trr)
215 ns
产品类别
IGBT晶体管
STGF20H65DFB2拓展信息
STMicroelectronics
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