STGF20H65DFB2
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STMicroelectronics STGF20H65DFB2

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型号

STGF20H65DFB2

utmel 编号

2381-STGF20H65DFB2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20

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STGF20H65DFB2
STGF20H65DFB2 STMicroelectronics TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20

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STGF20H65DFB2详情

STMicroelectronics STGF20H65DFB2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 供应商器件包装

    TO-220FP

  • 厂商

    STMicroelectronics

  • Package

    Tube

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    40 A

  • Test Conditions

    400V, 20A, 10Ohm, 15V

  • Base Product Number

    STGF20

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.65

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    ±20V

  • Package Type

    TO-220FP

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    650 V

  • Pd - Power Dissipation

    45 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Unit Weight

    0.059613 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1000

  • Continuous Collector Current at 25 C

    40 A

  • Mounting Styles

    通孔

  • Manufacturer

    STMicroelectronics

  • Brand

    STMicroelectronics

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    650 V

  • 系列

    HB2

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 包装

    Tube

  • 子类别

    IGBTs

  • 技术

    Si

  • 引脚数量

    3

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    45

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    45 W

  • 产品类别

    IGBT晶体管

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    650 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 20A

  • 连续集电极电流

    40

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    56 nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    60 A

  • Td(开/关)@25°C

    16ns/78.8ns

  • 开关能量

    265μJ (on), 214μJ (off)

  • 反向恢复时间(trr)

    215 ns

  • 产品类别

    IGBT晶体管

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