STGFW30NC60V
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STMicroelectronics STGFW30NC60V

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型号

STGFW30NC60V

utmel 编号

2381-STGFW30NC60V

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-3P-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors 40 A 600V Very Fast High Freq 50KHz IGBT

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STGFW30NC60V STMicroelectronics IGBT Transistors 40 A 600V Very Fast High Freq 50KHz IGBT

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STGFW30NC60V详情

STMicroelectronics STGFW30NC60V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-3P-3 Full Pack

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.5V

  • Test Conditions

    390V, 20A, 3.3 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PowerMESH™

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    80W

  • 基本部件号

    STGFW30

  • 元素配置

    Single

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    80W

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    36A

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.5V @ 15V, 20A

  • 闸门收费

    100nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    100A

  • Td(开/关)@25°C

    31ns/100ns

  • 开关能量

    220μJ (on), 330μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.75V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STGFW30NC60V相似的参数规格。

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